金融界2025年5月9日消息，国家知识信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种存储器及其制备方法”的，公开号CN119947110A，申请日期为2023年11月读写。
摘要显示，本发明实施例公开了一种存储器及其制备方法，该存储器包括多个存储单元，每个存储单元包括电荷存储区和位于电荷存储区上的垂直转移晶体管，其中，通过控制垂直转移晶体管的源端、漏端、以及沟道区域的掺杂浓度，使得源端和沟道区域的界面容易发生带带隧穿以实现更低的亚阈值摆幅及更大的开态电流，从而提高读写速度；进一步的，控制漏端和沟道区之间形成包括轻掺杂的且掺杂类型和漏端的掺杂类型相反的轻掺杂浓度区，以降低漏电电流，减少刷新次数、降低功耗读写。该存储器的制备方法只需简单的掺杂浓度控制即可完成，可与CMOS图像传感器的制作兼容，可降低工艺制作难度。
天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业读写。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息69条，信息1096条，此外企业还拥有行政许可42个。
来源：金融界