金融界2025年7月30日消息，国家知识信息显示，东莞记忆存储科技有限公司取得一项名为“一种NAND走线分段阻抗结构”的，授权公告号CN223167100U，申请日期为2024年09月读写 。
摘要显示，本实用公开了一种NAND走线分段阻抗结构，包括：SOC芯片、NAND颗粒以及连接于SOC芯片与NAND颗粒之间的NAND总线，NAND颗粒包括有多个晶粒，NAND总线包括第一段走线和第二段走线，第一段走线分别连接于SOC芯片和第二段走线，第二段走线分别连接于第一段走线和NAND颗粒，第一段走线的阻抗大于第二段走线的阻抗读写 。本实用通过将第一段走线阻抗设计为大于第二段走线，使得读方向的余量增大，写方向的余量减少，使读写性能更为均衡，降低因读写性能差异导致的系统瓶颈，提高用户体验和满意度，并且有助于在信号进入NAND总线前进行阻抗匹配，减少信号反射和衰减，从而提高信号完整性。
天眼查资料显示，东莞记忆存储科技有限公司，成立于2012年，位于东莞市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业读写 。企业注册资本19800万人民币。通过天眼查大数据分析，东莞记忆存储科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目37次，信息187条，此外企业还拥有行政许可79个。
来源：金融界