中电科思仪申请基于FPGA的多通道DDR4存储装置,提高读写效率:读写

金融界2025年7月19日消息,国家知识信息显示,中电科思仪科技股份有限公司申请一项名为“一种基于FPGA的多通道DDR4存储装置”的,公开号CN120336254A,申请日期为2025年04月读写

摘要显示,本发明涉及一种基于FPGA的多通道DDR4存储装置读写 。该装置包括FPGA单元和DDR4存储器,FPGA单元包括:MIG模块、多通道调度模块、数据缓冲模块、片内存储器、动态地址生成模块;MIG模块用于连接DDR4存储器;多通道调度模块与MIG模块、数据缓冲模块、动态地址生成模块连接,通过分时轮询的方式,依次对每个通道进行读写操作;数据缓冲模块位于多通道调度模块和片内存储器之间,用于缓存从DDR4存储器读取的数据;片内存储器用于存储从数据缓冲模块中读取的数据;动态地址生成模块用于生成从数据缓冲模块中读取的数据的片内存储地址。

天眼查资料显示,中电科思仪科技股份有限公司,成立于2015年,位于青岛市,是一家以从事零售业为主的企业读写 。企业注册资本82583.45万人民币。通过天眼查大数据分析,中电科思仪科技股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目3588次,财产线索方面有商标信息26条,信息1235条,此外企业还拥有行政许可16个。

来源:金融界

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