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杭州力芯存储科技申请DLL模块的电压监测电路和DRAM，实现在DRAM读写错误时根据DLL模块工作电压区间确定是否因电压低导致读写出错:读写
金融界2025年6月10日消息，国家知识信息显示，杭州力芯存储科技有限公司申请一项名为“DLL模块的电压监测电路和DRAM”的，公开号CN120126533A，申请日期为2025年05月读写。摘要显
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金融界2025年6月10日消息，国家知识信息显示，杭州力芯存储科技有限公司申请一项名为“DLL模块的电压监测电路和DRAM”的，公开号CN120126533A，申请日期为2025年05月读写。摘要显